JUSTA金胜特JST5N65F高压MOS场效应管
JST5N65F采用TO-220F封装，满足5.0A, 650V, RDS(on)=2.5Ω@VGS=10V低电荷、低反向传输电容，开关速度快等特点。
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| 升温低 功耗低 更稳定 | |||||
| 产品名称 | 产品型号 | 封装 | 电流 | 电压 | 代替或兼容 |
| MOS管 | JST5N65F | TO-220F | 5A | 650V | 4N65/5N65 |
极限值（TC=25℃）
| 参数名称 | 符号 | JST5N65P | JST5N65F | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 650 | V | |
| 漏极电流@Tc=25℃ | ID | 5.0 | A | |
| 栅源电压 | VGSS | ±30 | V | |
| 耗散功率@Tc=25℃ | PD | 100 | 36 | W |
| 结温 | TJ | -55～150 | ℃ | |
| 储存温度 | Tstg | -55～150 | ℃ | |
| 雪崩 | EAS | 210 | mJ | |
JST5N65F产品描述：
N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
产品特点：
5.0A,650V,RDS(on)=2.5Ω@VGS=10V低电荷、低反向传输电容，开关速度快。
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