JUSTA金胜特JST2N60U/D为N沟道高压功率MOS场效应管
JST2N60U/D满足2A/600V的应用,具有低电荷、低反向传输电容等特点。
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升温低 功耗低 更稳定 | |||||
产品名称 | 产品型号 | 封装 | 电流 | 电压 | 代替或兼容 |
MOS管 | JST2N60U | TO-251 | 2A | 600V | FQU2N60 /STD2NK60Z-1 |
JST2N60D | TO-252 | 2A | 600V | FQD2N60 /STD2NK60ZT4 |
参数名称 | 符号 | JST2N60U | JST2N60D | 单位 |
漏极-源极电压 | VDSS | 600 | V | |
漏极电流@Tc=25℃ | ID | 2.0 | A | |
栅源电压 | VGSS | ±30 | V | |
耗散功率@Tc=25℃ | PD | 44 | 44 | W |
结温 | TJ | 55~150 | ℃ | |
储存温度 | Tstg | 55~150 | ℃ | |
雪崩 | EAS | 141 | mJ |
JST2N60U/D主要特点:
RDS(on)=5Ω@VGS=10V低电荷、低反向传输电容,开关速度快等特点。
概述:
N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。