维品佳科技

率能SS8812T-ET-TP内部集成了两个NMOS H桥电机芯片替换DRV8812PWPR

SS8812T-ET-TP应用信息：

SS8812T-ET-TP可以用来控制一个双极步进电机，PWM接口控制输出，电流控制可以通过内部电流调节电路来实现。详细的故障报告是通过内部保护电路和nFAULT引脚来实现。

设备功能模式：

H桥控制：

AENBL使能控制A通道输出，逻辑高电平，A通道工作；APHASE控制A通道电流方向，逻辑高电平，电流由AOUT1流向AOUT2。同理，BENBL使能控制B通道输出，逻辑高电平，B通道工作；BPHASE控制B通道电流方向，逻辑高电平，电流由BOUT1流向BOUT2。表1显示了逻辑。

注：输入控制引脚均有约100kΩ内部下拉电阻。

衰减模式：

在PWM电流斩波期间，H桥开启使得通过电机绕组的驱动电流上升至斩波阈值。 如下图所示的状态1，显示的为当xPHASE为高时的电流流向。

SS8812T支持快衰减，慢衰减以及混合衰减模式。慢衰减，快衰减以及混合衰减模式通过DECAY引脚的状态来选择：逻辑低电平则选择慢衰减，悬空（或中间电平）则选择混合衰减，逻辑高电平选择快衰减模式。DECAY引脚内部有上拉电阻约130KΩ和下拉电阻约80KΩ。如果PIN保持悬空，则设置为混合衰减模式。注意DECAY引脚是同时设置两个H桥的衰减模式。设定总衰减时间为固定时间15us，在该衰减时间的30%为快衰减，然后在剩余时间内切换为慢衰减，直到下一个新的周期开始。

详细设计过程：

(a)电流调节

对于驱动步进马达，设定的满量程电流（IFS）是通过任何一个绕组的最大驱动电流。数量取决于xVREF参考电压和感应电阻值（RSENSE）。在工作中，IFS定义当前最大电流台阶的斩波阈值（ITRIP）。SS8812T增益设置为5V/V。

为实现I FS=1.25A，R SENSE为0.2Ω，xVREF应该设定1.25V。

(b)衰减模式

SS8812T提供三种不同的衰减模式：慢衰减，快衰减，和混合衰减。通过电机绕组的电流使用固定频率PWM方案调节。这意味着在任何驱动阶段，当电机绕组电流到达电流斩波的阈值（ITRIP），芯片将进入三个衰减模式之一，直到PWM周期结束。之后，一个新的驱动阶段开始。消隐时间，tBLANK，定义当前斩波的最小驱动时间。ITRIP在tBLANK时间内被忽略，因此绕组电流可能超过斩波的阈值。

(c)感应电阻

为了获得最佳性能，敏感电阻是很重要的：

表面贴装 

低电感

额定功率足够高

紧挨马达驱动芯片

通过检测电阻消耗的功率等于Irms 2xR。例如，如果电机平均电流为2A和使用100mΩ检测电阻时，电阻会消耗2A²×0.1Ω=0.4W。功率随电流等级迅速增加。

电阻器通常在某些环境温度范围内有一个额定功率，遵循环境温度上升，额定下降功率的曲线。当PCB板与其他部件共存时，产生的热量和余量应该相加。在最终的系统中，最好是测量实际的电阻温度。还有功率MOSFET，因为它们通常是最热的元件。

由于功率电阻比标准电阻器大，而且价格昂贵，所以通常采用在感测节点和接地之间并联多个标准电阻。这就均匀地分散电流和热量损耗。