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副边反激隔离启达启臣微PWM控制电源芯片CR6891B

CR6891B芯片特性：

SOT23-6封装的副边PWM反激功率开关；

编程输入欠压保护和输入过压保护；

CCM+PFM+QR控制模式；

内置软启动，减小MOSFET的应力，斜坡补偿电路；

65kHz开关频率，具有频率抖动功能，使其具有良好的EMI特性；

具有“软启动、OCP、SCP、OTP、OVP自动恢复等保护功能。

CR6891B提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等，还可以通过DEM脚分别精确设置AC输入欠压、过压保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力；前沿消隐时间简化了系统应用；通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计。芯片提供SOT23-6L的封装，是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM+QR混合电流模式PWM控制器。QR模式最高工作频率达到77kHz，CCM模式下最高工作频率65kHz ，轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。对反激电源而言，主要的待机损耗包括开关损耗、控制芯片损耗、及其它器件的损耗，而这些损耗都和开关频率有关。CR6891B为多模式PWM控制器，在重载时CR6891B工作在CCM模式，频率为65kHz，通过调节脉冲宽度控制输出电压。

根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径：

当导线很长时（＞1m），电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时，6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线，防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出，最好采用多股细线并绕的方式绕制，减小集肤效应的影响。

检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线，所需的窗口面积由以下公式给出：

式中，AC为实际的导体面积，KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。

对反激电源而言，主要的待机损耗包括传导损耗、开关损耗和控制芯片的损耗，而这些损耗都和开关频率有关。CR6891B为多模式PWM控制器，在重载CCM模式下，其工作频率为65kHz，通过调节脉冲宽度控制输出电压。