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率能半导体SS8833E有刷直流或双极步进电机集成马达驱动IC

SS8833E热停堆（TSD）：

如果模具温度超过安全极限（通常为170ºC），H桥中的所有FET将被禁用，nFAULT引脚将被驱动到低位。一旦模具温度降至安全水平（通常为125ºC），将自动运行简历。

欠压锁定（UVLO）:

如果在任何时候VM引脚上的电压低于欠压锁定阈值电压，则设备中的所有电路将被禁用，所有内部逻辑将被重置。当VM高于UVLO阈值时，操作将恢复。如果出现欠压情况，nFAULT将被驱动至低位。

过电流保护（OCP）:

每个FET上的模拟电流限制电路通过限制栅极驱动来限制通过FET的电流。

消隐时间:

当输出被切换时，内部消隐时间TBLANK消隐电流检测比较器的输出，这也是高侧MOSFET的最小开启时间。在开关转换过程中，通常会出现电流尖峰与体二极管的反向恢复电流或分布电感或电容有关。这个消隐时间是过滤电流尖峰并防止其错误关闭高侧MOSFET。

还包括一个低功耗休眠模式，该模式允许系统在不驱动电机时节省电源。它也提供的故障保护包括：欠压锁定（UVLO）和超温保护（OTP）。