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率能SS6951A-ET-TP工作电压8-20V,峰值电流可达到3A/4A,含两个电流控制PWM电路的H桥电机驱动器,可以用来控制一个双极步进电机。PWM接口控制输出,电流控制可以通过内部电流调节电路来实现,详细的故障报告是通过内部保护电路和nFAULT引脚来实现,内部集成了两个NMOS H桥、电流检测、调节电路,和详细的故障检测,采用ETSSOP28的封装,适应于打印机和工业设备上,内置完善的过流/热关断/欠压闭锁/故障显示等保护机制。双极步进电机可以以整步、2细分、4细分运行,或者用软件实现高细分,也为电机一体化应用提供一种双通道集成电机驱动方案。
SS6951A应用波形示例:
推荐的电源电压:芯片工作在输入电源电压(VMX)8.2和40V之间的范围内,用于VMX的两个0.1µF陶瓷电容器必须尽可能接近的VMA和VMB引脚(每个引脚分别一个)。除了本地去耦电容之外,还需要附加的大容量旁路电容,并且必须根据应用要求进行相应的大小调整。
散热:PowerPAD™封装使用一个裸露焊盘来对器件散热。为了工作正常,这个引脚必须与PCB上的铜连接来散热。带铺地的多层PCB上,可以通过添加若干通孔来连接热引脚到铺地面来实现。对没有内部铺地的PCB板,可以在PCB的任何地方添加铜皮面积来散热。如果铜皮在器件的PCB板对面,就需要热通孔是用来传递的顶层和底层之间的热量。一般来说,可以提供的铜皮面积越多,可以消耗的功率就越大。
耗散功率:芯片的功耗主要由输出场效应管的电阻消耗,即RDS(on)。当驱动直流电动机时,每个H桥的平均功耗可以用方程3粗略估计:PTOT=2×RDS(ON)×(IOUT(RMS))2其中PTOT为总功率损耗,RDS(on)是每个场效应管的电阻,而IOUT(RMS)为应用于每个绕组的均方根(RMS)输出电流。IOUT(RMS)等于直流电动机所发出的平均电流。请注意,在启动和故障条件下此电流比正常运行电流高得多;这些峰值电流和它们的持续时间也必须被考虑进去。因子2是因为在任何时刻两个场效应管流过每个绕组的绕组电流(一个高边和一个低边)。可以在设备中消耗的最大功率取决于环境温度和散热。注意RDS(on)随温度升高而增加,因此当器件加热时,功耗增大。在对芯片表面散热尺寸调整时这点必须要考虑到。
过流保护:SS6951AH:每个功率管的电流限制模拟电路通过移除栅极驱动来限制功率管的电流。如果模拟电流限制持续时间比OCP的尖峰时间(2.6us)长,所有的H桥场效应管都将关断,并且 nFAULT引脚将被拉低,芯片将保持 不工作。经过3.5ms的等待时间后芯片重新工作,nFAULT引脚重新置高,并继续检测OCP。若在此时OCP故障仍存在,则芯片在3.5ms的等待时间后继续工作,以此循环下去,直到OCP故障取消。
SS6951AT:每个功率管的电流限制模拟电路通过移除栅极驱动来限制功率管的电流。如果模拟电流限制持续 时间比OCP的尖峰时间(2.6us)长,所有的H桥场效应管都将关断,并且nFAULT引脚将被拉低,芯片将保持不工作。直到芯片故障排除,并且需要重新上电,或者通过nSLEEP、nRESET管脚重新复位芯片。高边和低边功率管的过电流条件;即短路接地、短路到电源或电动绕组间短路,都会导致过电流关断。注意过 电流保护不使用用于PWM电流控制的电流感应电路,与ISENSE电阻或基准电压xVREF无关。
设计要求参数如下表格:
参数 | 符号 | 数值 |
VM电源电压 | VM | 24V |
马达线圈电阻 | RL | 3.9Ω |
马达线圈电感 | IL | 2.9mH |
检测电阻 | RSENSE | 200mΩ |
满量程电流 | IFS | 1.25A |