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率能双极刷式直流SS8833T-ET-TP集成电机驱动器芯片替换DRV8833和MPS6507

SS8833T-ET-TP操作说明：

SS8833T-ET-TP设备是适用于刷式直流或双极步进电机的集成电机驱动器解决方案。设备集成了两个P+NMOS H桥和电流调节电路。外部PWM电流控制可以通过在输入引脚AIN1、AIN2、BIN1和BIN2上应用外部PWM信号来调节电机电流，包括低功耗休眠模式，使系统在不驱动电机时节省电力。

热关机（TSD）：

如果模具温度超过安全极限（通常170ºC），H桥中的所有FET将被禁用，nFAULT销将被压低。一旦模具温度降至安全水平（通常为125ºC），操作将自动简历。

睡眠模式：

将nSLEEP调低将使设备进入低功耗睡眠状态。在此状态下，H桥被禁用，所有内部逻辑复位，所有内部时钟停止。所有输入都将被忽略，直到nSLEEP返回非活动高电平。什么时候从睡眠模式返回时，电机驱动器需要经过一段时间（最多140us）才能完全运行。

装填时间：

当输出被切换时，内部消隐时间TBLANK对电流检测比较器的输出进行消隐也是高压侧MOSFET的最小接通时间。由于体二极管的反向恢复电流或分布电感或电容。此消隐时间正在过滤电流尖峰，防止其错误关闭高侧MOSFET。

内部PWM电流控制：

内部恒定关闭时间PWM电流控制电路将按以下方式调节电机电流：当H桥启用时，电流以取决于直流电压和电感的速率通过绕组上升绕组。

外部PWM电流控制：

在外部PWM控制模式下，当高压侧MOSFET接通时，绕组的感应电流会急剧上升，在高侧MOSFET的关闭时间内自由转动，导致再循环电流。为了处理这种再循环电流，H桥可以在两种不同的状态下工作：快衰变和慢衰变，这两种状态都是正向操作如图2所示，反向操作如图3所示。