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率能双极刷式直流SS8833T-ET-TP集成电机驱动器芯片替换DRV8833和MPS6507
SS8833T-ET-TP操作说明:
SS8833T-ET-TP设备是适用于刷式直流或双极步进电机的集成电机驱动器解决方案。设备集成了两个P+NMOS H桥和电流调节电路。外部PWM电流控制可以通过在输入引脚AIN1、AIN2、BIN1和BIN2上应用外部PWM信号来调节电机电流,包括低功耗休眠模式,使系统在不驱动电机时节省电力。
热关机(TSD):
如果模具温度超过安全极限(通常170ºC),H桥中的所有FET将被禁用,nFAULT销将被压低。一旦模具温度降至安全水平(通常为125ºC),操作将自动简历。
睡眠模式:
将nSLEEP调低将使设备进入低功耗睡眠状态。在此状态下,H桥被禁用,所有内部逻辑复位,所有内部时钟停止。所有输入都将被忽略,直到nSLEEP返回非活动高电平。什么时候从睡眠模式返回时,电机驱动器需要经过一段时间(最多140us)才能完全运行。
装填时间:
当输出被切换时,内部消隐时间TBLANK对电流检测比较器的输出进行消隐也是高压侧MOSFET的最小接通时间。由于体二极管的反向恢复电流或分布电感或电容。此消隐时间正在过滤电流尖峰,防止其错误关闭高侧MOSFET。
内部PWM电流控制:
内部恒定关闭时间PWM电流控制电路将按以下方式调节电机电流:当H桥启用时,电流以取决于直流电压和电感的速率通过绕组上升绕组。
外部PWM电流控制:
在外部PWM控制模式下,当高压侧MOSFET接通时,绕组的感应电流会急剧上升,在高侧MOSFET的关闭时间内自由转动,导致再循环电流。为了处理这种再循环电流,H桥可以在两种不同的状态下工作:快衰变和慢衰变,这两种状态都是正向操作如图2所示,反向操作如图3所示。