维品佳科技

率能两个H桥驱动SS8847T-ET-TP马达芯片替换DRV8847

SS8847T-ET-TP替换DRV8847芯片外部PWM电流控制：

SS8847T-ET-TP在外部PWM控制模式下，当高压侧MOSFET接通时，绕组的感应电流会急剧上升在高侧MOSFET的关闭时间内自由转动，导致再循环电流。为了处理此再循环电流，H桥可以在快速衰减模式下运行，如下图所示操作和反向操作。

睡眠模式：

将nSLEEP调低将使设备进入低功耗睡眠状态。在此状态下，H桥被禁用，所有内部逻辑复位，所有内部时钟停止。所有输入都将被忽略，直到n SLEEP返回非活动高电平。什么时候从睡眠模式返回时，在电机驱动器完全运行之前，需要经过一段时间（最多140us）。

热关机（TSD）：

如果模具温度超过安全极限（通常为170ºC），H桥中的所有FET将被禁用，FAULT引脚将被压低。一旦模具温度降至安全水平（通常为125ºC），操作将自动恢复。

装填时间：

当输出被切换时，内部消隐时间TBLANK对电流检测比较器的输出进行消隐也是高压侧MOSFET的最小接通时间。由于以下原因，在切换过渡期间通常会出现电流尖峰体二极管的反向恢复电流或分布电感或电容。此消隐时间将过滤电流尖峰，防止其错误关闭高侧MOSFET。

过电流保护（OCP）：

过电流保护不使用电流感应电路用于PWM电流控制，因此即使没有xSEN电阻也能正常工作。

绝对最大额定值：