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率能SS8870T-ET-TP独立H桥驱动集成电机芯片

SS8870T-ET-TP电流调整：

SS8870T中，电机峰值电流的限制可以由模拟参考输入VREF和ISEN引脚上的外部检测电阻的电阻决定，公式如下:

例如，如果VREF=2.0V and a RISEN=0.2Ω，无论负载多大，PWM电流调节机制将限制电机电流到1.0A。当出发到ITRIP的阈值，H桥通过使能两个下桥强制使感性负载进入慢衰减模式，并且建立一个固定的关断时间，tOFF(典型值为30uS)。

热关断(TSD)：

如果晶圆的温度超过芯片的安全极限，整个功率输出的H桥会被关断，当晶圆温度降至安全值，芯片自恢复运行。

无电流调节的PWM控制：

如果不需要电流调节功能，ISEN pin脚直接接PCB的参考地，VREF的电压保证在0.3V-5V，给定VERF高电压能更好的保证抗噪裕量。这种模式下能提供到芯片的最大峰值电流-3.6A保持在几百毫秒（取决于PCB散热及环境温度）。如果电流超过3.6A，器件可能会进入过流保护(OCP)或者过温保护

(TSD)，如果发生上述保护，器件自关断，等待4mS后自恢复。

电桥控制：