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率能SS8870T-ET-TP独立H桥驱动集成电机芯片
SS8870T-ET-TP电流调整:
SS8870T中,电机峰值电流的限制可以由模拟参考输入VREF和ISEN引脚上的外部检测电阻的电阻决定,公式如下:
例如,如果VREF=2.0V and a RISEN=0.2Ω,无论负载多大,PWM电流调节机制将限制电机电流到1.0A。当出发到ITRIP的阈值,H桥通过使能两个下桥强制使感性负载进入慢衰减模式,并且建立一个固定的关断时间,tOFF(典型值为30uS)。
热关断(TSD):
如果晶圆的温度超过芯片的安全极限,整个功率输出的H桥会被关断,当晶圆温度降至安全值,芯片自恢复运行。
保护类型 | 触发条件 | H桥行为 | 恢复条件 |
AM欠压保护(UVLO) | VM<VUVLO | 关断 | VM>VUVLO |
过流保护(OCP) | IOUT>IOCP | 关断 | tRETRY |
过温保护(TSD) | TJ>170°C | 关断 | TJ<TSD–THYS |
无电流调节的PWM控制:
如果不需要电流调节功能,ISEN pin脚直接接PCB的参考地,VREF的电压保证在0.3V-5V,给定VERF高电压能更好的保证抗噪裕量。这种模式下能提供到芯片的最大峰值电流-3.6A保持在几百毫秒(取决于PCB散热及环境温度)。如果电流超过3.6A,器件可能会进入过流保护(OCP)或者过温保护
(TSD),如果发生上述保护,器件自关断,等待4mS后自恢复。
电桥控制: